Microchip、既存比25%安の高密度SPI EERAMメモリファミリを発表

JTAGがARMコアデバイスにどう統合されているかを解明：Arm Debug Interface（ADI）とSerial Wire Debug（SWD）プロトコルに焦点を当てる このシリーズの前回記事では、IEEE 1149.1標準、Test Access Port（TAP）コントローラ、TAPステートマシンを探求しました。また、一般的なJTAGピンアウト、コネクタ、市場で入手可能なデバッグプローブの配列もレビューしました。 ここではARMエコシステムに焦点を移し、いかにARMコアプロセッサがADIとその2線式SWDバリアントを通じてJTAGを実装しているかを詳述します。 ARMとは ARMは

概要抵抗変化型ランダムアクセスメモリ（RRAM）は、効率的なデバイス設計と実装の標準化のために正確なモデルを必要とする新興不揮発性技術である。本レビューでは、RRAMに提案されてきた物理的および現象論的モデルを統合し、その原理、長所、限界を詳細に説明する。基礎的なメモリスタ理論、主要な実験的ブレークスルー、モデリングアプローチの進化（線形イオンドリフトから高度な電気熱・確率論的フレームワークまで）を網羅。Chua、HP、Yakopcic、TEAM/VTEAM、Stanford/ASUなどの主要モデルを比較し、ウィンドウ関数、境界条件、温度効果の役割を強調。また検証技術と、SPICEおよびVer

概要従来の強誘電体デバイスはスケーラビリティに欠けています。ドープHfO₂薄膜はスケーリング問題を解決する有望材料ですが、多結晶性ゆえに高漏れ電流と均一性の懸念に直面しています。3.6 nm厚の非晶質Al₂O₃薄膜において、安定な強誘電体様振る舞いが初めて実証されました。非晶質Al₂O₃デバイスは高いスケーラビリティを持ち、ナノメートルオーダーのフィンピッチを持つマルチゲート不揮発性電界効果トランジスタ（NVFET）を可能にします。また、低プロセス温度、高周波動作（~GHz）、広いメモリウィンドウ、長寿命耐久性などの利点を備え、VLSIシステムへの大きな可能性を示唆しています。電圧変調酸素空孔

ROM製品のグローバル・サプライヤーであるマクロン・インターナショナルは、IoTおよびエッジ・デバイスにおけるフラッシュ・メモリの保護に関するベスト・プラクティスとヒントをレビューする魅力的なウェビナーを開催します。 ウェビナーの概要より このウェビナーでは、モノのインターネット、産業用IoT（IIoT）、エッジ・デバイスを含むコンピューティング・セグメントにおけるメモリの主要なセキュリティ・トレンドにスポットライトを当てます。アーキテクチャ・トレンド、説明、コードとデータを安全に保存するために使用されるセキュリティ・ポリシー、これらの実装を推進する標準を取り上げます。 さらに、ゼロ・トラスト