超薄シリコンウェハー上の両面超伝導回路:コンパクト・低クロストークソリューション
センサー間の低クロストークと伝送線路の低損失を実現できる、薄型両面回路基板のニーズに対応する新しい製造方法論が開発されました。
この製造法により、最小限のシリコンウェハーを回路基板として使用し、超伝導材料を両面に堆積させることでスペースを削減し効率を向上させます。シリコンウェハーが薄いため、ウェハーの片面でホット基板上への金属薄膜堆積を可能にするため、製造中に追加のバッキングハンドルウェハーが必要です。さらに、金属およびポリマー犠牲層を用いて、不要なシリコン、埋め込み酸化膜、エポキシ層の除去中にシリコン基板と超伝導金属層を保護します。
このプロセスは、超伝導センサー間の超低損失伝送線路と超低クロストークを実現するために必要な製造方法論を導入します。
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センサー
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