Winbondリリース2Gb + 2Gb NAND + LPDDR4xマルチチップパッケージ
Winbond Electronicsは、新しい1.8V 2Gb + 2Gb NANDフラッシュおよびLPDDR4xメモリ製品をコンパクトな8.0x 9.5 x 0.8mmマルチチップパッケージ（MCP）で発売します。新しいW71NW20KK1KW製品は、堅牢なシングルレベルセル（SLC）NANDフラッシュと高速で低電力のLPDDR4xメモリを組み合わせており、家庭や顧客宅内機器（CPE）として使用することを目的とした5Gセルラーモデムに十分なメモリ容量を提供します。オフィス。
モバイル5Gモデムは通常、より大きなメモリ密度を必要としますが、スタティック5G CPEモデムは、2Gb NAND / 2GbDRAMのメモリ容量で完全に動作できます。このメモリの組み合わせをコンパクトな単一パッケージで提供することにより、WinbondのW71NW20KK1KWは、5Gモデムメーカーが可能な限り低い材料と製造コストでCPEユニットのシステム要件を満たすことを可能にします。
W71NW20KK1KWを組み込んだ新世代のコスト最適化5GCPEユニットの導入は、高速ブロードバンドネットワークのラストマイルでの固定回線銅線または光xDSLリンクの代替としての5Gの消費者の採用を加速するのに役立つと期待されます。
W71NW20KK1KWは、2Gb SLCNANDフラッシュダイと2GbLPDDR4x DRAMダイで構成される149ボールボールグリッドアレイ（BGA）MCPです。堅牢なSLCNANDフラッシュは、優れた耐久性仕様と高いデータ整合性を提供します。 SLC NANDは、高いデータ整合性を実現するために4ビットECCのみを必要としますが、デバイスの2KB + 128Bページサイズは、8ビットECCを使用するための十分なスペースを提供します。
W71NW20KK1KWは8ビットバスを備えており、64ページのブロックで構成されています。 NANDダイのパフォーマンス仕様には、25µsの最大ページ読み取り時間と250µsの一般的なページプログラム時間が含まれています。
1866MHzの高周波で動作するLPDDR4xDRAMダイは、LVSTL_11インターフェイスを提供し、同時動作用に8つの内部バンクを備えています。最大4267MT / sのデータレートを提供し、5Gセルラーネットワークが提供する高速データ転送レートをサポートします。
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