Winbond、5G CPEモデム向け2Gb+2Gb NAND & LPDDR4xメモリを発表
Winbond Electronicsは、コンパクトな1.8Vデュアルダイメモリソリューション「W71NW20KK1KW」を発表しました。これは、2GbのSLC NANDフラッシュと2GbのLPDDR4x DRAMを、8.0×9.5×0.8mmのマルチチップパッケージ(MCP)に統合したものです。
静的5G CPE向けに最適化
静的5G CPEユニットは通常、2GbのNANDと2GbのDRAMで快適に動作するため、W71NW20KK1KWは両メモリタイプを単一の149ボールBGAパッケージに統合した、理想的でコスト効率の良いソリューションです。
メモリスタックを簡素化することで、メーカーは基板スペース削減、部品点数削減、製造コスト削減を実現し、ラストワンマイルでの銅線や光ファイバーxDSLの代替として5Gの実用的展開を加速できます。
NANDダイの性能
SLC NANDコアは優れた耐久性とデータ完全性を提供。2KB+128Bページサイズで最大8ビットECC使用可能ながら、デバイスは信頼性のある動作に4ビットECCのみを必要とします。
8ビット幅インターフェースと64ページブロックで、最大ページ読取時間25µs、典型的ページプログラム時間250µsを達成し、要求の厳しい5Gワークロードに高速データアクセスを提供します。
WinbondのW71NW20KK1KWは、次世代ブロードバンド展開を支える高性能・低コストメモリソリューションの提供へのコミットメントを体現しています。
埋め込み
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