ルネサス、低消費電力・高性能エントリー級RA2E1 MCUを発表

ルネサスエレクトロニクスは、コストセンシティブでスペースコンストレイントなシステム向けに、高性能と超低エネルギー消費の両方を要求するRA2E1ファミリのエントリーレベルマイクロコントローラを発表しました。

48 MHz Arm Cortex-M23コアを中心に構築された各RA2E1 MCUは、単一チップに最大128 KBのコードフラッシュと16 KBのSRAMを統合。新ラインアップは48デバイスで構成され、動作電圧範囲1.6 V~5.5 Vをサポートし、LQFP、QFN、LGA、BGA、そして2.14×2.27 mmという小さなウェハレベルチップスケールパッケージ(WLCSP)を含む幅広いパッケージオプションを提供します。

これらのデバイスは、性能、効率、豊富な機能のバランスの取れたミックスを提供します。ルネサスによれば、RA2E1の低消費電力設計はオンチップペリフェラル、フラッシュメモリ、SRAMすべてに及び、フル温度/電圧スペクトルで可能な最小消費電力を実現。複数の低電力モードにより、設計者は多様なアプリケーションニーズに合わせて消費電力を調整できます。

EEMBC ULPMarkスイートでのベンチマークでは、RA2E1が1.8 Vで321スコアを達成し、ベストインクラスのエネルギー効率を検証。アクティブモードでは100 µA/MHz、ソフトウェアスタンバイではわずか250 nAに低下し、クリティカル動作中にニアスタンバイ電力使用を可能にします。

生の性能を超えて、RA2E1はハードウェアとソフトウェアの拡張性を備えたアップグレードパスを提供し、ルネサスのより広範なRAファミリへの自然なエントリーポイントとして位置づけられます。

主な機能

• 48 MHz Arm Cortex-M23 CPUコア
• フラッシュメモリ: 32 KB~128 KBオプション; 16 KB SRAM
• 動作電圧: 1.6 V~5.5 V
• ピン数: 25~64ピン範囲
• パッケージオプション: LQFP、QFN、LGA、BGA、WLCSP (2.14×2.27 mm)
• 低消費電力動作: アクティブモード100 µA/MHz; ソフトウェアスタンバイ250 nA
• 統合次世代静電容量式タッチセンサ - 外部部品不要、BOMコスト削減
• オンチップペリフェラルスイート: 1.0%精度内部発振器、バックグラウンドデータフラッシュ(1 M消去/書き込みサイクル)、大電流I/Oポート、温度センサ
• RA2L1デバイスとのピン/ペリフェラル互換性でシームレスなアップグレードパス
• IEC60730セルフテストライブラリと統合安全機能で信頼性動作
• AES暗号アクセラレータ、真性乱数生成器(TRNG)、メモリ保護ユニットでセキュアIoT展開

RA2E1は、包括的HALドライバと開発を加速しレガシー8/16ビットMCUからの移行を容易にするGUIを備えた、ルネサスのFlexible Software Package(FSP)でサポートされます。設計者は広範なArmパートナーエコシステムにもアクセスでき、タイムツーマーケットを効率化します。

ルネサスはRA2E1と組み合わせる補完的なアナログと電源ソリューションを提供し、多様なアプリケーション向けターンキーシステムを構築します。同社の「ウィニングコンビネーション」には、コアプロセッサ、低コスト、低ピン数、低消費電力機能が含まれ、RA2E1の能力と完全に整合します。また、RA2E1キットは拡張PMODコネクタをサポートし、センサとRF接続PMODでモジュラーIoTソリューションを実現します。