Nano書記素、シリコンベースの柔軟な透明メモリ

メモリデバイス コンピュータや多くの電子機器は通常、保存された情報に依存しています。これは主に、回路の動作を指示するために使用できるデータです。デジタル情報はメモリデバイスに保存されます。メモリデバイスの長期的なナノテクノロジーの展望には、カーボンナノチューブベースのメモリ、分子エレクトロニクス、およびTiO2などの抵抗性材料に基づくメモリスタが含まれます。
透明メモリ
透明な電子メモリは、統合された透明な電子機器に役立つという利点がありますが、そのような透明性を実現すると、材料の組成に制限が生じ、処理とデバイスのパフォーマンスが低下します。
ここでは、活物質としてSiOxを使用し、電極としてインジウムスズ酸化物またはグラフェンを使用して、透明度の高いメモリを製造する方法を紹介します。 2端子の不揮発性抵抗変化型メモリは、ガラスまたは柔軟な透明プラットフォーム上のクロスバーアレイで構成することもできます。 SiOxでその場で生成されたシリコンチャネルのフィラメント状伝導は、デバイスサイズが小さくなるにつれて電流レベルを維持し、高密度メモリアプリケーションの可能性を強調します。また、2端子ベースであるため、3次元メモリパッケージへの移行が考えられます。 。ガラスは建築建築材料の主力の1つになりつつあり、導電性ディスプレイは最新のハンドヘルドデバイスに不可欠であるため、フォームフィッティングパッケージの機能を向上させることは有利です。
原則
透明メモリは、標準的な酸化ケイ素を介して強い電荷を押し出すことにより、幅5ナノメートル未満の純粋なシリコン結晶のチャネルが形成されるという原理に基づいています。印加された初期電圧は、酸化ケイ素から酸素原子を取り除きます。その後、電荷が少なくなると、回路が繰り返し切断されて再接続され、不揮発性メモリになります。小さい信号を使用すると、メモリの状態を変更せずにポーリングできます。
ライス大学の調査結果
米大学の研究者は、回路の密度が十分に高い場合、シリコン自体は透明ではありませんが、有効成分として酸化ケイ素を使用して透明で柔軟なメモリを開発し、研究者は次のことができる実用的な2端子メモリデバイスを開発しました三次元構成で積み重ねられ、酸化ケイ素とグラフェンを使用して柔軟な基板に取り付けられます。研究者たちは、酸化ケイ素がスイッチになり得るという啓示に基づいて、透明性が高く、不揮発性の抵抗性メモリデバイスを製造しています。電圧を供給するために透明なワイヤーが必要であるため、透明な書記素がプラスチック基板上の入力電極と出力電極の両方の配線として使用されます。しかし、ガラス基板では、透明な金属電極である酸化インジウムスズ（ITO）が入力に使用され、上部のグラフェンが出力に使用されます。グラフェンはデバイスの電極を構成します。グラフェン電極に接続するリードを除いて、デバイスは完全に金属を含みません。グラフェンをさまざまな基板に簡単に転写できるため、研究者たちは柔軟なプラスチック上にいくつかのデバイスを製造しました。
用途
今日のメモリは透明ではないため、シースルー特性を維持しながらガラスに使用することはできず、今日のメモリはプラスチックなどの柔軟な基板ではうまく機能しないため、この技術には現在のメモリ技術に比べていくつかの利点があります。
メーカーは、小さなデバイスに数百万ビットを収めようとすると、現在のアーキテクチャに物理的な限界を見出しています。現在、電子機器は22ナノメートルの回路で作られています。しかし、わずか5ナノメートルで、ムーアの法則を超えてメモリを拡張するためのチャネルを作成できます。
シリコンとグラフェンを組み合わせることで、科学者はメモリを配置できる場所の可能性を広げることができます。これらのデバイスは、コンピューター回路が2年ごとに電力を倍増し、過酷な放射線条件に直面し、最大約1,300度の熱に耐えることができる可能性を秘めています。 F.
フラッシュメモリのようなメモリで使用されている現在のトランジスタは、酸化ケイ素の設計に置き換えることができます。シースルー携帯電話は別の可能性です。