読み取り専用メモリ（ROM）
読み取り専用メモリ（ROM）は、「ラッチ」メカニズムが1回限りの（または制限された）操作用に作成されていることを除いて、静的または動的RAM回路と設計が似ています。最も単純なタイプのROMは、2つのバイナリ状態を表すために選択的にブローまたはそのままにしておくことができる小さな「ヒューズ」を使用するものです。明らかに、小さなヒューズの1つが飛んだら、それを再び完全にすることはできないので、そのようなROM回路の書き込みは1回だけです。
これらの回路は一度だけ書き込む（プログラムする）ことができるため、PROM（プログラム可能な読み取り専用メモリ）と呼ばれることもあります。ただし、すべての書き込み方法が溶断ヒューズほど永続的であるとは限りません。かなりの労力でのみリセット可能なトランジスタラッチを作成できれば、RAMとROMのクロスのようなメモリデバイスを構築できます。このようなデバイスには、EPROM（Erasable Programmable Read-Only Memory）というかなりオキシモロニックな名前が付けられています。
EPROMには、電気的消去可能（EEPROM）と紫外線消去可能（UV / EPROM）の2つの基本的な種類があります。どちらのタイプのEPROMも、容量性電荷MOSFETデバイスを使用してラッチオンまたはラッチオフします。 UV / EPROMは、紫外線に長期間さらされることで「クリア」されます。
それらは簡単に識別できます。シリコンチップ材料を光にさらす透明なガラス窓があります。プログラムしたら、周囲の光が時間の経過とともにデータを劣化させないように、そのガラス窓をテープで覆う必要があります。 EPROMは、多くの場合、「読み取り専用」モードで使用されるものよりも高い信号電圧を使用してプログラムされます。
関連するワークシート：
- メモリデバイスワークシート
産業技術