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フォトレジスタ(LDR):機能、種類、実用応用

光は電磁放射の一形態で、可視スペクトルは400〜700 nmにわたります。光子が持つエネルギーは半導体材料に吸収されると電子を伝導帯へ励起し、フォトダイオード、太陽電池、フォトレジスタなど多様な光デバイスを可能にします。


フォトレジスタとは

フォトレジスタ(LDR):機能、種類、実用応用
Photoresistor

フォトレジスタは、光依存抵抗(LDR)とも呼ばれ、入射光強度が増すにつれて抵抗が減少する受動部品です。光伝導性が作動原理:光子が価電子帯から伝導帯へ電子を解放し、抵抗を低下させ導電率を高めます。フォトダイオードやフォトトランジスタと比較して感度は低く、抵抗は温度依存性も持ちます。

動作原理

フォトダイオードと異なり、フォトレジスタにはP-N接合がありません。高抵抗半導体材料から作られます。光子が材料に衝突すると電子-正孔対が生成され、十分な光子エネルギーで格子結合が切れ、電子が伝導帯に達します。結果として抵抗が顕著に低下し、暗闇でメガオーム級から明るい照明下で数百オームまで変化します。

フォトレジスタの種類

フォトレジスタは半導体の真性/不純物性で分類されます:

両タイプとも抵抗-光関係は非線形で、感度は波長依存、一般に温度感度も持ちます。

フォトレジスタの記号

フォトレジスタ(LDR):機能、種類、実用応用
Photoresistor‑Symbol

一般にLDRと略され、CdS、CdSe、PbSeなどの材料で構成されます。抵抗は光だけでなく周囲温度でも変化するため、精密アプリケーションでは慎重なキャリブレーションが必須です。

フォトレジスタの応用

感度は劣りますが、フォトレジスタは広く使用されています:

フォトレジスタベースのプロジェクト

ホビイストと研究者はフォトレジスタを革新的プロジェクトに頻繁に採用します:

EUのカドミウム禁止によりCdSとCdSe LDRは制限され、代替材料へのシフトが進んでいます。フォトレジスタはマイコンと容易にインターフェース可能で、OPT3002環境光センサーやパッシブLDRモジュールなどICセンサーとしても入手可能。技術詳細はTexas InstrumentsのOPT3002データシートを参照。フォトレジスタは多くの照明アプリケーションでコスト効率の良い解決策ですが、より高感度、高速応答、分光選択性が必要な場合はフォトダイオードが第一選択です。

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