ergFET：NASA開発の先進固体電界センサ、材料特性評価と医療用途に対応
平衡反転ゲートFETによる高感度電界検出
NASAラングレー研究センターは、電界効果トランジスタ（FET）ベースの固体集積回路を開発しました。ergFETと呼ばれるこのセンサは、材料の電子的特性を特性評価し、手荷物、配線、液体などの検出を可能にし、遠隔心電図などの医療用イメージングにも使用できます。
漏れ電流制御による測定精度向上
この平衡反転ゲート電界効果トランジスタ（ergFET）は、トランジスタのゲート近くに電極を配置し、トランジスタで典型的な漏れ電流を制御・反転させます。この漏れ電流は測定誤差の原因となります。アレイに組み込むことでより高解像度のイメージングが可能で、可動部のない固体デバイスです。これにより、ポータブルおよびハンドヘルドセンサ設計が実現できます。
NASAはこの技術を商業化するライセンシーを積極的に募集しています。NASAライセンシングコンシェルジュ（メールアドレスはスパムボットから保護されています。JavaScriptを有効にして表示してください。または202-358-7432にお電話ください）までご連絡いただき、ライセンス交渉を開始してください。詳細についてはこちらのリンクをご覧ください 。
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