MESFET:RF/マイクロ波用途向け高周波・低電力トランジスタ
MESFETとは?
メタル-セミコンダクタ電界効果トランジスタ(MESFET)は、ガリウムヒ素(GaAs)またはインジウムリン(InP)チャネルを用いて、シリコンデバイスより低ノイズ、高速、高電力密度を実現する高周波トランジスタです。
主な利点
- 卓越したトランスコンダクタンスとカットオフ周波数(最大200 GHz)
- 低オン抵抗と高出力電力
- RF、マイクロ波、ミリ波アプリケーション向け優れた温度安定性
典型的なユースケース
MESFETは、携帯基地局、衛星アップリンク、レーダーシステム、高速通信リンクの重要コンポーネントを駆動します。
産業技術