IRF840データシート:高電圧用途向けNチャネルMOSFETの包括的概要
IRF840データシート:ピン構成
電子工作ではピン構成が極めて重要で、誤ったピン配置は電子部品を無用の長物にします。以下の表にIRF840のピン構成を示します。

IRF840データシート:特徴
IRF840の特徴/基本パラメータ:
- フォールタイムとライズタイム:20ns、23ns
- TO-220パッケージ
- DSR(ドレイン-ソース抵抗):0.85Ω
- ドレイン-ソース間耐圧:500V
- ゲート閾値電圧(VGS-th):10V(限界値:±20V)
- 連続ドレイン電流:8A
- NチャネルパワーMOSFET

(グラフィックカード上のAPM2510N MOSFETクローズアップ)
IRF840データシート:代替品と同等品
IRF840A、IRF840LC、IRFB17N50L
IRF840の用途
最大500Vの高電圧負荷、最大8Aの負荷電流を必要とする回路に使用可能。高速スイッチングが必要な回路にも適する。ハイパワーオーディオアンプ製造にも用途あり。

(DPAK MOSFET電子トランジスタアレイ、白背景3Dイラスト)
アプリケーション
- バッテリー充電回路
- 太陽光発電用途
- 無停電電源装置(UPS)
- 高電力デバイスのスイッチング
- DCモーターコントローラー/ドライバー
- モーター速度制御
- ACモーターコントローラー/ドライバー
- 高速スイッチングを必要とする用途

(PCB上のパワーMOSFETの画像)
結論
まとめると、IRF840はアナログ/デジタル回路で広く用いられる最高の電界効果トランジスタの一つです。価格、技術仕様、リードタイム等の詳細については、wellpcbまでお問い合わせください。
産業技術