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Winbond:5GCPEモデム用の2Gb + 2GbNANDおよびLPDDR4xメモリ製品

Winbond Electronicsは、コンパクトな8.0 x 9.5 x 0.8mmマルチチップパッケージ(MCP)の新しい1.8V 2Gb + 2GbNANDフラッシュおよびLPDDR4xメモリ製品の発売を発表しました。

新しいW71NW20KK1KW製品は、堅牢なシングルレベルセル(SLC)NANDフラッシュと高速で低電力のLPDDR4xメモリを組み合わせており、家庭や顧客宅内機器(CPE)として使用することを目的とした5Gセルラーモデムに十分なメモリ容量を提供します。オフィス。

モバイル5Gモデムは通常、より大きなメモリ密度を必要としますが、スタティック5G CPEモデムは、2Gb NAND / 2GbDRAMのメモリ容量で完全に動作できます。このメモリの組み合わせをコンパクトな単一パッケージで提供することにより、WinbondのW71NW20KK1KWは、5Gモデムメーカーが可能な限り低い材料と製造コストでCPEユニットのシステム要件を満たすことを可能にします。

W71NW20KK1KWを組み込んだ新世代のコスト最適化5GCPEユニットの導入は、高速ブロードバンドネットワークのラストマイルでの固定回線銅線または光xDSLリンクの代替としての5Gの消費者の採用を加速するのに役立つと期待されます。

W71NW20KK1KWは、2Gb SLCNANDフラッシュダイと2GbLPDDR4xDRAMダイで構成される149ボールBGAMCPです。堅牢なSLCNANDフラッシュは、優れた耐久性仕様と高いデータ整合性を提供します。 SLC NANDは、高いデータ整合性を実現するために4ビットECCのみを必要としますが、デバイスの2KB + 128Bページサイズは、8ビットECCを使用するための十分なスペースを提供します。

W71NW20KK1KWは8ビットバスを備えており、64ページのブロックで構成されています。 NANDダイのパフォーマンス仕様には、25µsの最大ページ読み取り時間と250µsの一般的なページプログラム時間が含まれています。


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