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STMicroelectronics、組み込みPCM搭載28nm FD-SOI MCUをパワートレイン/ADAS/電動化向けに展示

STMicroelectronicsはIEDM 2018で、組み込み相変化メモリ(ePCM)を搭載した28nm FD-SOI MCUのアーキテクチャと性能を発表しました。これら業界初のMCUは現在アルファ顧客向けにサンプリング中、自動車仕様を満たすフィールド試験を通過し、2020年にフル認定予定です。

パワートレイン制御、セキュアゲートウェイ、安全/ADAS、車両電動化向けに設計されたePCMベースMCUは、低消費電力、高処理密度、大容量オンチップメモリを兼ね備え、現代の自動車ソフトウェアの増大する需要に応えます。技術はAEC-Q100 Grade 0を満たし、+165℃まで動作し、高温はんだリフローと放射線耐性を通じてファームウェアとデータ保持を保証、最大信頼性を確保します。

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