トランジスタ、絶縁ゲート電界効果（IGFETまたはMOSFET）

トランジスタは、低電力の電気信号を印加して電流を制御する線形半導体デバイスです。トランジスタは、バイポーラと電界効果の2つの主要な区分に大まかに分類できます。前章では、小電流を利用して大電流を制御するバイポーラトランジスタについて研究しました。この章では、電界効果トランジスタ（小さな電圧を利用して電流を制御するデバイス）の一般的な概念を紹介し、次に1つの特定のタイプである接合型電界効果トランジスタに焦点を当てます。次の章では、別のタイプの電界効果トランジスタである絶縁ゲートの種類について説明します。 すべての電界効果トランジスタは、バイポーラデバイスではなくユニポーラデバイスです。つまり、そ

絶縁ゲート電界効果トランジスタは、JFETと同じようにユニポーラデバイスです。つまり、制御された電流がPN接合を通過する必要はありません。トランジスタの内部にはPN接合がありますが、その唯一の目的は、チャネルを流れる電流を制限するために使用される非導電性の空乏領域を提供することです。 回路図記号と物理図 これは、「空乏」タイプのNチャネルIGFETの図です。 ソースリードとドレインリードがNチャネルの両端にどのように接続されているか、およびゲートリードが薄い絶縁バリアによってチャネルから分離された金属プレートにどのように接続されているかに注目してください。その障壁は、非常に優れた絶

従来のサイリスタデバイスの「駆動」（ゲートトリガー電流）要件を軽減するために設計された2つの比較的最近の技術は、MOSゲートサイリスタとMOS制御サイリスタ（MCT）です。 MOSゲートサイリスタ MOSゲートサイリスタは、MOSFETを使用して、標準のサイリスタ構造の上部（PNP）トランジスタを介して導通を開始し、デバイスをトリガーします。 MOSFETは「駆動」するためにごくわずかな電流しか必要としないため（飽和させるため）、これによりサイリスタ全体が非常に簡単にトリガーされます:(下の図） MOSゲートサイリスタの等価回路 通常のSCRはそのまま「駆動」するのが

関心のあるターゲットをリアルタイムで監視する分析デバイスである高感度で選択的な電子バイオセンサーの需要は、幅広いアプリケーションで高まっています。これらは、臨床現場でのヘルスケア、創薬、食品の安全性と品質管理、および環境モニタリングに理想的です。 電子バイオセンサーは、その単純さ、短い分析時間、低い製造コスト、最小限のサンプル準備、および訓練を受けていない人員によって現場で使用される可能性があるため、魅力的です。 無料のBozen-Bolzano大学とETHチューリッヒの研究者は、電解質ゲートカーボンナノチューブ電界効果トランジスタ（EG-CNTFET）バイオセンサーの科学的進歩をレビュー