トランジスタ、接合型電界効果(JFET)
ゲートの矢印の方向は、ゲート接合部が順方向にバイアスされているときにゲート電流が流れる方向を示していることに注意してください。
したがって、NチャネルJFETの場合、ゲート接合部の矢印はデバイスを指し、PチャネルJFETの場合、デバイスから離れています。
関連するワークシート:
- 接合型電界効果トランジスタ(JFET)ワークシート
産業技術
ゲートの矢印の方向は、ゲート接合部が順方向にバイアスされているときにゲート電流が流れる方向を示していることに注意してください。
したがって、NチャネルJFETの場合、ゲート接合部の矢印はデバイスを指し、PチャネルJFETの場合、デバイスから離れています。
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