トランジスタ：IGFET (MOSFET) – デプレッション/エンハンスメントモード解説

トランジスタは低電力電気信号で電流を制御する線形半導体デバイスです。トランジスタは大きくバイポーラと電界効果の2系列に分類されます。バイポーラトランジスタが小さな電流で大きな電流を制御するのに対し、電界効果トランジスタ（FET）は小さな電圧で同じ目的を達成します。本記事では電界効果の概念を紹介し、ジャンクション電界効果トランジスタ（JFET）に焦点を当てます。 すべてのFETは単極性デバイスであり、主要キャリアがN型半導体中の電子またはP型半導体中の正孔のみで構成されます。この単極性はデバイス構造で明確になります： NチャネルJFET JFETでは制御電流がソースとドレイン端子間を流れま

絶縁ゲート電界効果トランジスタ（IGFET）はJFETと同様に単極性デバイスです：制御電流は単一タイプの半導体内を完全に流れるため、電流がPN接合を横切ることはありません。 デバイス内部には、チャネルを通る電流を制限する非導通枯渇領域を形成するためだけにPN接合が存在します。この接合自体は決して電流を流しません。 回路図シンボルと物理図 以下はディプレッション型NチャネルIGFETの回路図です： ソースとドレインリードがNチャネルの両端に接続され、ゲートが薄い絶縁バリア（一般的に二酸化ケイ素、砂の主成分）で分離された金属プレートに接続されていることに注目してください。このMetal-Ox

最近のサイリスタ技術進歩は、従来のシリコン制御整流器（SCR）に必要なゲートトリガー電流を低減することを目的としています。注目すべき2つの革新は、MOSゲートサイリスタ（MGT）とMOS制御サイリスタ（MCT）です。 MOSゲートサイリスタ（MGT） MGTは標準SCRのゲートにNチャネルMOSFETを統合します。MOSFETの無視できるゲートドライブ電流（<10 µA）が上側（PNP）トランジスタを飽和させ、導通を開始します。したがって、全体デバイスはトリガーにわずか数ミリアンペアしか必要とせず、ベアSCRの典型的10–30 mAゲート電流から大幅に改善されています。 MOSゲートサイ

ターゲットをリアルタイムで監視する感度と選択性に優れた電子バイオセンサー——分析デバイス——への需要が、幅広い用途で高まっています。臨床現場でのヘルスケア、創薬、食品安全と品質管理、環境モニタリングに最適です。 電子バイオセンサーは、シンプルさ、短い分析時間、低製造コスト、最小限のサンプル前処理、未訓練の人員でも現場で使用可能という点で魅力的です。 ボルツァーノ自由大学とETHチューリッヒの研究者たちは、電解質ゲートカーボンナノチューブ電界効果トランジスタ（EG-CNTFET）バイオセンサーの科学的進歩をレビューしました。これらのデバイスは優れた電子特性と固有の信号増幅を特徴とし、幅広い生体