高性能ペロブスカイトトランジスタが印刷可能に:POSTECHのブレイクスルー

浦項工科大学(POSTECH)研究チームが、無機金属ハライドペロブスカイトを用いたp型半導体トランジスタの性能を向上させました。新技術の最大の利点の一つは、溶液プロセス対応ペロブスカイトトランジスタを、半導体回路のようにシンプルに印刷できることです。
ペロブスカイトベーストランジスタは、ホール移動度を示すp型半導体とn型半導体を組み合わせて電流を制御します。これまで活発に研究されてきたn型半導体に比べ、高性能p型半導体の作製は課題でした。
多くの研究者が優れた電気伝導性からペロブスカイトをp型半導体に利用しようとしましたが、電気特性と再現性の悪さが商業化を阻んでいました。
この課題を克服するため、研究者たちは修正無機金属ハライド:ヨウ化セシウムスズ(CsSnI3)を用いてp型ペロブスカイト半導体を開発し、これをベースに高性能トランジスタを作製しました。このトランジスタは、50cm²V⁻¹s⁻¹以上の高ホール移動度と、10⁸超のオン/オフ電流比を示します。これはこれまで開発されたペロブスカイト半導体トランジスタの中で最高記録です。
材料を溶液化することで、研究者たちはドキュメントを印刷するようにp型半導体トランジスタをシンプルに印刷することに成功しました。この方法は便利であるだけでなくコスト効率も良いため、将来的にペロブスカイトデバイスの商業化につながる可能性があります。
「新開発半導体材料とトランジスタは、ハイエンドディスプレイのロジック回路やウェアラブル電子デバイスに広く適用可能です。シリコン半導体と垂直にスタックすることで、スタック型電子回路やオプトエレクトロニクスデバイスにも使用できます」とノ・ヨンヨン教授は説明しています。
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