コモン・ソースJFET増幅器:設計、解析、実践ワークシート
コモン・ソースJFET増幅器の概要
コモン・ソース構成はJFET増幅器設計の主力です。ゲートをソースに対して負電圧でバイアスすることで、デバイスを飽和領域で動作させ、高い入力インピーダンスを維持しながら高電圧利得を提供します。
主要な電気的特性
- トランスコンダクタンス(gm):ドレイン-ソース電圧1 Vあたり2–5 mS。
- 電圧利得(Av):適切にバイアスされた場合40–70 dB(≈50–100 V/V)。
- 入力インピーダンス:>10 MΩ、信号源に最適。
- 出力インピーダンス:<1 kΩ、後段駆動に適する。
バイアスと小信号モデル
JFETを飽和領域に保つため、ドレイン抵抗(Rd)とソース抵抗(Rs)を選び、ドレイン電流(Id)をほぼ一定に保ちます。小信号モデルはトランスコンダクタンスパラメータgmと出力抵抗roを用い、おなじみの利得式を導きます:
Av ≈ -gm × (Rd || ro)
典型的な応用
- オーディオプリアンプ:低ノイズ、高利得フロントエンド。
- RFフロントエンド:最小歪みで広帯域。
- 計装:高入力インピーダンスによる精密信号調整。
実践演習
選択したJFETのバイアスポイント、利得、周波数応答を計算するため、JFET増幅器ワークシートをダウンロードしてください。ワークシートはステップバイステップの設計をガイドし、理論と実践的実装の両方を習得できます。
より深い洞察のため、Analog Devices JFETテクノロジー概要を参照してください。実データシートとアプリケーションノートが提供されています。
産業技術
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