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LDR(光依存抵抗)の理解:仕組みと活用法

LDRとは? LDRはLight-Dependent Resistorの略で、一般的にフォトレジスタ(光導電抵抗)として知られています。これは、抵抗値が光の強度に依存する特殊なタイプの抵抗器です。この動作原理は光電導率の原理として知られています。光電導率の原理とは、光が増えると抵抗が減少し、逆に光量が減ると抵抗が上昇することを説明しています。本記事では、LDRの動作、構造、電気エネルギープロジェクトでの用途について説明します。

LDRはどのように作られているか?

重要なことに、この電子デバイスはジグザグ形状の感光性材料(硫化カドミウム:CdS)を持っています。しかし、一部の地域ではプロジェクトでのCdS使用が禁止されています。代わりに使用できる感光性材料として、アンチモン化インジウム(InSb)や硫化鉛(PbS)があります。ジグザグ線の両端には2つの金属接点があり、これらがLDRとの接続を作り、エネルギーバンドを形成します。この主要な特徴が、光依存抵抗をフォトトランジスタやフォトダイオードと区別します。また、この特徴はLDRがP-N接合を持たないことを意味します。ジグザグ線は保護が必要な繊細な材料なので、透明なコーティングがジグザグ形状を覆って保護しています。この層は透明で、環境光が感光性材料に到達するのを許します。

LDR(光依存抵抗)の理解:仕組みと活用法
透明コーティングが見えるフォトレジスタ

LDRの種類

LDRには2種類あります:固有フォトレジスタ(イントリンシック)と不純物フォトレジスタ(エクストリンシック)。これらは、固有フォトレジスタが純粋な半導体材料を持つのに対し、不純物フォトレジスタはドープされ不純物を含む半導体材料を使用する点で異なります。ゲルマニウムとシリコンは純粋な半導体材料の例です。入射光エネルギーがこの半導体材料に当たると、領域内の電子がこのエネルギーを得ます。これらの電子が励起され、一部が伝導帯へ移動します。不純物半導体で不純物フォトレジスタが構成されます。これらの不純物は価電子帯の上に新しいエネルギー帯を作り、伝導帯からの電子移動に必要なエネルギーギャップが小さくなるため、より少ない電力で電子移動が可能になります。両方の抵抗器は光依存型なので、自動街灯、光センサ、光量計、光感度を必要とする用途に使用できます。

LDR(光依存抵抗)の理解:仕組みと活用法
フォトレジスタの画像

光依存抵抗の仕組み

基本的な理解

半導体の仕組みを理解するには、良導体と絶縁体の動作を知る必要があります。良導体は多数の自由電子を含み、エネルギーを印加すると様々な方向に移動します。一方、絶縁体は高い抵抗を持つため自由電子が非常に少なく、電子の移動はありません。しかし、LDRは半導体を使用します。半導体は、ある領域から別の領域へ移動できる電子が少数あります。また、ほとんどの半導体電子は結晶格子に抑制されているため不動です。その結果、これらの材料は非常に高い抵抗を示します。

LDR(光依存抵抗)の理解:仕組みと活用法
光制御可変抵抗 LDR

原理の説明

前述の通り、LDRは光電導率の原理に従います。この原理は、光強度の低下が抵抗上昇をもたらすことです。環境からの照明が感光性材料に当たると、材料はこのエネルギーを吸収します。特に価電子帯のこの感光性物質内の電子が励起され、伝導帯へ移動します。最終的に電子が伝導帯に到達すると、光強度の上昇に伴って伝導度が上昇します。したがって、伝導度の上昇は光強度の上昇に対応します。また、帯隙エネルギーより入射光のエネルギーが大きい場合のみ、荷電粒子は価電子帯から伝導帯へ移動できます。暗い場所ではLDRの抵抗は最大になりますが、光線にさらすと抵抗が減少します。

LDR(光依存抵抗)の理解:仕組みと活用法
ブレッドボードに実装されたLDR

LDRの用途

LDR(光依存抵抗)の理解:仕組みと活用法
LDRアイコン

光依存抵抗の構造

LDRは大部分が光に露出する水平ボディを持っています。

LDR(光依存抵抗)の理解:仕組みと活用法
光依存抵抗の構造

アクティブ半導体領域を軽くドープし、半絶縁基板上に配置することが重要です。しかし、ほとんどの個別LDRでは、光に露出するボディの表面積を増やすためにインターディジタルパターンを使用します。また、LDRの物理構造は光の透過を許可します。この特徴は、アクティブ領域の表面上のメタライゼーションにパターンが切り込まれているため、重要な役割を果たします。2つのメタライズ領域が抵抗器の2つの金属接点を表します。ただし、メタライズ領域は十分な大きさである必要があります。十分なスペースがアクティブ領域への接触抵抗を低減します。この特定構造は小型フォトレジスタで一般的です。インターディジタルパターン構造はかなり複雑なので、個別フォトレジスタデバイスに見られます。

LDR(光依存抵抗)の理解:仕組みと活用法
フォトレジスタの画像

LDRの記号

ほとんどの回路でのLDR記号は、抵抗回路記号に矢印が当たっているもので、光線を表します。矢印はフォトダイオードやフォトトランジスタの回路記号に似ています。また、回路での抵抗器表現には古い方法と新しい方法があります。古い方法はジグザグ線、新しい方法は長方形のボックスを使用します。

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LDRベクトルアイコン

フォトセルとLDRの違い

LDRとフォトセルは両方とも原理に基づいて動作します。LDRは光強度の上昇に伴って抵抗が低下する原理で動作します。対照的に、フォトセルは光エネルギーを電気エネルギーに変換します。また、フォトセルはPN接合ダイオードで動作しますが、両方とも機能するために半導体材料を必要とします。最後に、両デバイスとも応答を出力しますが、フォトセルの方がより速い応答を示します。一方、LDRは頻繁な反応を提供します。したがって、変化検知時に即座の応答を必要とする用途にはフォトセルが理想的な電気デバイスです。

LDR(光依存抵抗)の理解:仕組みと活用法
光検出用フォトセル/フォトダイオード

まとめ

LDRは光検出を必要とするプロジェクトで使用される重要な電気機器です。半導体材料を使用するため、高い抵抗を提供できます。本記事がお役に立てば幸いです。私たちのチームは常にお手伝いできる準備ができています! この記事や私たちの仕事に関する更なる情報は、遠慮なくお問い合わせください。

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