エンジニアが28マイクロワットWi-Fi無線実現、電池不要スマートデバイスへ道開く

ロンドン — GreenWavesは、前世代GAP8比で消費電力を5分の1に削減しながら、ニューラルネットワークワークロードを10倍処理できる次世代超低消費電力AIアクセラレーターGAP9を発表しました。アーキテクチャ改良とGlobalFoundriesの最先端22nm FD-SOIプロセスにより、総消費電力わずか50mWで最大50 GOPSを実現します。 エッジAI推論向けに設計されたGAP9は、電池駆動IoTセンサーノードで優れた性能を発揮。GreenWavesによると、チャネルスケーリング係数0.25で160×160ピクセル画像上のMobileNet V1をわずか12msで実行し、フレー

シリコンラボは、電源供給装置（PSE）と受電装置（PD）の幅広い範囲で90 W PoEの導入を簡素化する包括的なPower over Ethernet（PoE）ソリューションを発表しました。このポートフォリオはIEEE 802.3btに完全準拠し、ワイヤレスアクセスポイント、IoTゲートウェイ、5Gスモールセルの到達範囲を拡張し、完全なPoE駆動デジタルビルディングへの道を開きます。 ラインアップは15 W〜90 Wをカバーし、3つの主要な802.3bt準拠デバイスを導入：Si3471 PSEコントローラ、Si3474クアッドポートPSEコントローラ、Si34071シングルチップPDソリューシ

ケビン・アシュトンが1999年に「モノのインターネット」という用語を提唱して以来、この技術は私たちが環境と対話する方法を再構築してきました。今日、その変化は家庭、自動車、都市で明らかであり、新たなフロンティアが出現しています：公衆トイレです。長距離ワイヤレス電力とIoTデバイスを活用することで、施設はすべての人にとってより清潔で、効率的で、快適なバスルーム体験を提供できます。 業界アナリストは、世界のIoTエコシステムが2025年までに640億台以上の接続デバイスを超えると予測しています。この数字には、スマート・サーモスタットからトイレ・センサーまであらゆるものが含まれます。ほとんどのヘッドラ

要旨 代表的なワイドバンドギャップ半導体材料として、窒化ガリウム（GaN）はその優れた材料特性（高い電子移動度、高い電子飽和速度、臨界電界など）により注目を集めています。垂直GaNデバイスは研究が進み、高電圧、大電流、高耐圧の能力を特徴とするパワーエレクトロニクス応用の最有力候補の一つと見なされています。それらの中でも、垂直GaNベースのPN接合ダイオード（PND）はかなり研究され、高品質エピタキシャル成長とデバイス構造設計に基づいて性能が大きく向上しています。しかし、デバイスエピタキシャル品質の更なる改善が必要です。デバイス電気特性の面では、デバイスエッジでの電界集中効果が差し迫った問題であ