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サイリスタ

サイリスタは、多くの異常な特性を備えたデバイスです。アノード、カソード、ゲートの3つの端子があり、熱電子バルブ/真空管技術を反映しています。

予想されるように、ゲートは制御端子であり、主電流はアノードとカソードの間を流れます。

DIAC回路記号は、図のように2本の線の間にある2つの三角形から生成されます。

ある意味で、これは2つのジャンクションと見なすこともできるデバイスの構造を示しています。

デバイスの2つの端子は通常、アノード1とアノード2、またはメイン端子1と2、つまりMT1とMT2のいずれかで指定されます。

トライアックを外側から見ると、2つの連続したサイリスタと見なされる場合があります。これは回路記号が示すものです。

これは事実上SCRまたはサイリスタの開発ですが、一方向にしか導通できないサイリスタとは異なり、トライアックは双方向デバイスです。

GTOは、ゲートターンオフスイッチと呼ばれることもあります。このデバイスは、ゲートに負の電圧を印加するだけでオフにできるため、サイリスタファミリでは珍しいものです。アノードのカソード電圧を除去する必要はありません。

SCRと同様に、シリコン制御スイッチ(SCS)は、カソードC、カソードゲートGx、アノードゲートG2、およびアノードAの4つの電極を備えた片側4層3接合P-N-P-Nシリコンデバイスです。

ゲート制御スイッチは、逆バイアストリガーで簡単に開くことができるように設計されています。

ゲート制御スイッチ(GCS)は、正のトリガーによって閉じられ、負のトリガーによって(または低電流ドロップアウトによって)開かれます。

ダブルベースダイオードとも呼ばれるユニジャンクショントランジスタ(UJTと略記)は、2層、3端子のソリッドステート(シリコン)スイッチングデバイスです。

このデバイスには、トリガーされると、エミッター電源によって制限されるまで、エミッター電流が回生的に増加するという独自の特性があります(負性抵抗特性のため)。

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