ユニジャンクショントランジスタ（UJT）
ユニジャンクショントランジスタ： ユニジャンクショントランジスタはサイリスタではありませんが、このデバイスはベースB1のパルスでより大きなサイリスタをトリガーできます。 ユニジャンクショントランジスタ 中央にP型接続を持つN型シリコンの棒で構成されています。図（a）を参照してください。バーの端の接続は、ベースB1およびB2として知られています。 Pタイプの中点がエミッターです。エミッタを外した状態での総抵抗R BBO 、データシートアイテムは、R B1 の合計です。 およびR B2 図（b）に示すように。 R BBO さまざまなデバイスタイプの範囲は4〜12kΩです。固有のスタンドオフ比ηは、R B1 の比です。 R BBO へ 。デバイスごとに0.4から0.8まで変化します。概略記号は図（c）
です。
ユニジャンクショントランジスタ：（a）構造、（b）モデル、（c）記号
ユニジャンクションエミッタの電流対電圧特性曲線（下の図（a））は、V E 増加し、現在のI E I P が増加します ピークポイントで。ピークポイントを超えると、負性抵抗領域で電圧が低下するにつれて電流が増加します。電圧は谷のポイントで最小に達します。 R B1 の抵抗 、飽和抵抗は谷のポイントで最も低くなります。
I P およびI V 、はデータシートパラメータです。 2n2647の場合、I P およびI V それぞれ2µAと4mAです。 [AMS] VPは、RB1の両端の電圧降下に0.7Vのダイオード降下を加えたものです。下の図（b）を参照してください。 VVはV BB の約10％と推定されます 。
ユニジャンクショントランジスタ：（a）エミッタ特性曲線、（b）VPのモデル。
緩和発振器は、ユニジャンクション発振器のアプリケーションです。 R E C E を請求します ピークポイントまで。ユニジャンクションエミッタ端子は、このポイントに到達するまでコンデンサに影響を与えません。コンデンサの電圧が上がると、V E 、ピーク電圧ポイントV P に到達します 、下側のエミッタ-ベース1のE-B1抵抗は、コンデンサをすばやく放電します。コンデンサが谷点V V より下で放電すると 、E-RB1抵抗は高抵抗に戻り、コンデンサは再び自由に充電されます。
ユニジャンクショントランジスタ緩和発振器と波形。発振器はSCRを駆動します。
E-B1飽和抵抗を介したコンデンサの放電中に、外部のB1およびB2負荷抵抗にパルスが見られる場合があります（上の図）。放電時間に影響を与えないように、B1の負荷抵抗は低くする必要があります。 B2の外部抵抗はオプションです。短絡している可能性があります。おおよその周波数は1 / f =T =RCで与えられます。頻度のより正確な式は、上の図に示されています。
充電抵抗R E 特定の制限内に収まる必要があります。 I P を使用できるように十分に小さくする必要があります V BB に基づいて流れる より少ないV P を供給します 。 I V を供給するのに十分な大きさである必要があります V BB に基づく より少ないV V を供給します 。 [MHW] 2n2647の方程式と例：
プログラマブルユニジャンクショントランジスタ（PUT）： ユニジャンクショントランジスタは廃止されたものとしてリストされていますが（入手可能な場合は高価です）、プログラマブルユニジャンクショントランジスタは健在です。それは安価で生産中です。ユニジャンクショントランジスタと同様の機能を果たしますが、PUTは3端子サイリスタです。 PUTは、下の図に示すサイリスタに典型的な4層構造を共有しています。アノード近くのN型層であるゲートは「アノードゲート」として知られていることに注意してください。さらに、回路図面シンボルのゲートリードはシンボルのアノード端に取り付けられています。
プログラマブルユニジャンクショントランジスタ：特性曲線、内部構造、回路図記号。
上の図のプログラマブルユニジャンクショントランジスタの特性曲線は、ユニジャンクショントランジスタの特性曲線と似ています。これは、アノード電流I A のプロットです。 対アノード電圧V A 。ゲートリード電圧は、ピークアノード電圧V P を設定、プログラムします。 。アノード電流が増加すると、電圧はピークポイントまで増加します。その後、電流を増やすと、谷のポイントまで電圧が下がります。
ユニジャンクショントランジスタに相当するPUTを下図に示します。外部PUT抵抗R1とR2は、ユニジャンクショントランジスタの内部抵抗R B1 に取って代わります。 およびR B2 、 それぞれ。これらの抵抗により、固有のスタンドオフ比ηを計算できます。
ユニジャンクショントランジスタに相当するPUT
下の図は、ユニジャンクション緩和発振器のPUTバージョンを示しています。抵抗Rは、ピークポイントまでコンデンサを充電します。その後、激しい伝導により、動作ポイントが負の抵抗スロープを下って谷ポイントに移動します。コンデンサの放電中に電流スパイクがカソードを流れ、カソード抵抗の両端に電圧スパイクが発生します。コンデンサの放電後、動作点はピーク点までの勾配にリセットされます。
PUT弛緩発振器
問題： 上の図の緩和発振器であるRの適切な値の範囲はどれくらいですか？充電抵抗は、アノードをV P に上げるのに十分な電流を供給するのに十分小さくなければなりません。 コンデンサ充電中のピーク点。一度V P に達すると、電流が増加するにつれてアノード電圧が低下し（負性抵抗）、動作点が谷に移動します。谷電流I V を供給するのはコンデンサの仕事です 。放電されると、動作点はピーク点への上り勾配にリセットされます。抵抗は、高谷電流I P を供給しないように十分に大きくする必要があります。 。充電抵抗がそれだけの電流を供給できる場合、コンデンサが放電された後、抵抗は谷電流を供給し、動作点がピーク点の左側の高抵抗状態にリセットされることはありません。
同じV BB を選択します =ユニジャンクショントランジスタの例では10Vを使用。 ηが約2/3になるようにR1とR2の値を選択します。 ηとVSを計算します。 R1、R2に相当するものは、R G です。 、これは以下の表から選択するためにのみ使用されます。 V S と一緒に =10、6.3に最も近い値、V T が見つかります =0.6VおよびV P を計算します 。
I P も見つかります およびI V 、表のそれぞれのピーク電流と谷電流。まだV V が必要です 、谷間電圧。 V BB の10％を使用しました =1V、前のユニジャンクションの例では。データシートを参照すると、順方向電圧V F が見つかります。 =I F で0.8V =50mA。谷電流I V =70µAはI F よりはるかに小さい =50mA。したがって、V V V F 未満である必要があります =0.8V。どれくらい少ないですか？安全のため、V V を設定します =0V。これにより、抵抗範囲の下限が少し上がります。
R> 143kを選択すると、コンデンサが放電した後、動作点が谷点からリセットできることが保証されます。 R <755kでは、最大V P まで充電できます ピークポイントで。
2n6027データシートから適合した選択された2n6027PUTパラメータ。 [ON1]
下の図は、最終的な抵抗値を持つPUT緩和発振器を示しています。 SCRをトリガーするPUTの実際のアプリケーションも示されています。この回路にはV BB が必要です フィルタリングされていない電源（図示せず）は、各電力ゼロが交差した後に緩和発振器をリセットするためにブリッジ整流器から分割されます。可変抵抗器には、谷のポイントで低いポット設定がぶら下がるのを防ぐために、最小の抵抗器を直列に接続する必要があります。
コンポーネント値を持つPUT緩和発振器。 PUTはSCRランプ調光器を駆動します。
PUTタイミング回路は10kHzまで使えると言われています。指数ランプの代わりに線形ランプが必要な場合は、充電抵抗をFETベースの定電流ダイオードなどの定電流源に交換してください。代替PUTは、カソードゲートを省略し、アノードゲートを使用することにより、PNPおよびNPNシリコントランジスタから構築できます。
レビュー：
- ユニジャンクショントランジスタは、シリコンの抵抗膜に接続された2つのベース（B1、B2）と、中央のエミッタで構成されています。 E-B1ジャンクションには負性抵抗特性があります。高抵抗と低抵抗を切り替えることができます。
- PUT（プログラマブルユニジャンクショントランジスタ）は、ユニジャンクショントランジスタのように機能する3端子4層サイリスタです。外部抵抗ネットワークはηを「プログラム」します。
- PUTの固有のスタンドオフ比率はη=R1 /（R1 + R2）です。 R B1 に置き換えます およびR B2 、それぞれ、ユニジャンクショントランジスタの場合。トリガー電圧はηによって決定されます。
- ユニジャンクショントランジスタとプログラマブルユニジャンクショントランジスタは、発振器、タイミング回路、およびサイリスタのトリガに適用されます。
関連ワークシート：
- サイリスタワークシート
産業技術