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IBMブレイクスルー:InAsナノワイヤクロスジャンクションでバリスティック電子輸送実現

本日、査読誌Nano Lettersに掲載された研究で、IBM科学者たちがシリコン上に統合されたInAs III-V族半導体ナノワイヤを電子が通過し、初めてバリスティック輸送を達成しました。このマイルストーンは、将来の高性能コンピューティングシステムに組み込み可能な次世代量子ワイヤデバイスの基盤を築きます。

筆頭著者でIBM科学者のJohannes Gooth博士が、詳細なQ&Aでこの研究の意義を解説します。

Q: 論文タイトルは「バリスティック一次元InAsナノワイヤクロスジャンクションインターコネクト」。このナノスケールバリスティック輸送が提示する課題は?

JG: 原子スケールでミサイルを発射するようなものです。電子が一コンタクトから対向コンタクトへ散乱なしで移動し、エネルギー、運動量、スピンを含む完全な量子状態を保持。課題は、幾何学的に精密で内部散乱体のないナノワイヤを製造すること。IBMチューリッヒで開発されたテンプレート支援選択的エピタキシー(TASE)プロセスが、初めてそのレベルの制御を提供します。

Q: 他の量子技術とどう比較されますか?

JG: 光学的または超伝導プラットフォームとは異なり、我々の技術は拡張可能で標準CMOSプロセスと完全互換性があり、産業展開に魅力的です。

Q: 量子輸送は汎用量子コンピュータ構築で何の役割を果たしますか?

JG: バリスティック接続は、古典的に接続されたシステムと比較して計算状態空間を劇的に拡大。ナノワイヤを超伝導体と結合することで、トポロジカルに保護された耐障害量子コンピューティングを実現—汎用量子コンピュータに不可欠な優位性です。

Q: 既存プロセスで製造可能か?次のステップは?

JG: はい、デバイスは既存CMOSワークフローにシームレスに統合可能。次のフェーズではクロスジャンクションを機能化—マヨラナ編み込みと量子ドット用超伝導ハイブリッド追加—して完全動作量子回路を構築します。


バリスティック一次元InAsナノワイヤクロスジャンクションインターコネクト、Johannes Gooth, Mattias Borg, Heinz Schmid, Vanessa Schaller, Stephan Wirths, Kirsten E Moselund, Mathieu Luisier, Siegfried Karg, Heike Riel, Nano Letters, DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b00400, 公開日(Web): 2017年3月23日

ナノマテリアル

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