ERC、原子操作による単一分子デバイス研究に資金提供

概要 単一分子磁石（SMM）を2つの正常金属電極に結合した新型スピン電流フィルタを提案。このトンネル接合は、SMMに印加される磁場とゲート電圧によりスピン偏極を切替可能な高スピン偏極電流を生成する。このSMMトンネル接合におけるスピンスイッチングは、SMMの最下空分子軌道（LUMO）を介したスピン選択的単一電子共鳴トンネリングに起因する。外部磁場不在下でも電子電流スペクトルはスピン偏極を保持し、分子スピン状態が基底状態二重項|±S⟩に到達したか判定可能。本デバイスは現行技術で実現可能であり、スピントロニクスおよび量子情報への実用応用が期待される。 はじめに 材料科学の発展に伴い、ナノスケール

概要 従来の腫瘍治療戦略と比較して、薬物貯蔵システムとしてのハイドロゲルはオンデマンド薬物放出と深部組織浸透能力を実現できます。また、腫瘍部位での優れた保持性を示し、腫瘍治療の浸透と保持効果を高めます。これは薬物耐性と深刻な副作用を大幅に克服できます。無機/有機コンポジットハイドロゲルは、様々な種類の腫瘍に対する治療効果を高める相乗効果により幅広い注目を集めています。インサイチュウ注射可能ハイドロゲルは、薬物を病変部位に確実に制限し漏出なしで、より良い生物学的安全性を保証します。さらに、ハイドロゲルは相互接続したマクロポアを持ち、栄養輸送、細胞活動、細胞間相互作用に十分なスペースを提供します。

概要 摩擦帯電効果ベースのエネルギーハーベスティングデバイスは、他のナノ発電機と比較して高い出力性能を持つため大きな注目を集めており、さまざまなウェアラブル応用で利用されています。作動メカニズムに基づくと、摩擦帯電性能は主に摩擦帯電材料の表面電荷密度に比例します。摩擦帯電材料の表面官能基修飾や誘電組成変更など、さまざまなアプローチで表面電荷密度を高め、摩擦帯電性能向上が図られてきました。特に、摩擦帯電材料の誘電特性調整は、表面電荷が摩擦帯電材料の相対誘電率に比例するため、表面電荷密度を大幅に増加させます。相対誘電定数は、電子分極、振動（原子）分極、配向（双極子）分極、イオン分極、界面分極などの

要旨 代表的なワイドバンドギャップ半導体材料として、窒化ガリウム（GaN）はその優れた材料特性（高い電子移動度、高い電子飽和速度、臨界電界など）により注目を集めています。垂直GaNデバイスは研究が進み、高電圧、大電流、高耐圧の能力を特徴とするパワーエレクトロニクス応用の最有力候補の一つと見なされています。それらの中でも、垂直GaNベースのPN接合ダイオード（PND）はかなり研究され、高品質エピタキシャル成長とデバイス構造設計に基づいて性能が大きく向上しています。しかし、デバイスエピタキシャル品質の更なる改善が必要です。デバイス電気特性の面では、デバイスエッジでの電界集中効果が差し迫った問題であ