Al前堆積とMBEにおけるGa/N比によるSi(111)上のGaN形態制御

概要 分子パターン基板、制御引き上げ法による選択的NW組み立て、300℃穏和熱処理を組み合わせ、酸化亜鉛（ZnO）ナノワイヤー（NW）ネットワーク電界効果トランジスタ（FET）ベースのゲート制御紫外線（UV）フォトディテクタアレイ作製の簡便低温プロセス提示。得られたデバイスはn型挙動、オン/オフ比105、トランスコンダクタンス47 nS、キャリア移動度0.175 cm2 V-1 s-1示す。UV光応答度はゲートバイアスで調整可能、Vg=-55 V、Vds=7 Vで8.6×105達成。90%デバイス歩留まり、高温真空工程不要で大規模低コストUVセンサー生産への道開く。 背景 ZnOナノワイヤー

概要 非効率なMg誘起p型ドーピングは、固体照明と電力応用向けGaNベース電子デバイス開発の主要障壁であり続けている。本研究では、フリースタンディングGaN基板上GaN層における、二つのMg導入法（イオン注入とエピタキシャルドーピング）による欠陥の比較構造解析を報告。走査透過型電子顕微鏡（STEM）で、Mgイオン注入試料にのみピラミッド状欠陥とライン欠陥が存在し、Mgドープ試料ではこれら欠陥不在を発見。欠陥性質が導入法に依存することを示唆。二次イオン質量分析（SIMS）から、Mg濃度とこれら欠陥の位置・種類との直接対応観察。これらピラミッド状とライン欠陥はMgリッチ種であり、形成が自由正孔密度

概要 フレキシブル透明導電電極はフレキシブルオプトエレクトロニクスデバイスの必須コンポーネントであり、近年広く研究されているが、その多くは電極自体に焦点を当てており、材料のグリーン化とリサイクル性についてはほとんど議論されていない。本論文では、我々が以前開発したクラッキング技術と、グリーンでリサイクル可能な基板であるデンプンフィルムを組み合わせた高性能透明導電電極（TCE）を実証する。この電極は、低シート抵抗（1.0 Ω sq−1未満）、高透明度（82％超、優越性指数≈10,000）、超平滑な形態、そしてリサイクル性を示す。さらに、人体関節上での一連のバイオセンサ応用を実証し、優れた感度と機械

概要 「メタマテリアル」の導入は、電磁気学を含むいくつかの分野に大きな影響を与えてきました。しかし、オンデマンドでのメタマテリアル構造設計は、依然として極めて時間のかかるプロセスです。効率的な機械学習手法として、深層学習は近年データ分類と回帰に広く用いられ、優れた汎化性能を示しています。本研究では、オンデマンド設計のための深層ニューラルネットワークを構築しました。必要な反射率を入力として構造パラメータを自動的に計算・出力し、オンデマンド設計を実現します。本ネットワークは、訓練セットとテストセットの両方で平均二乗誤差（MSE）0.005という低い値を達成しました。結果は、深層学習でデータを訓練す