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マイク:どのように作られているのか?

マイクは私たちの日常生活の一部です。それらは、電話、補聴器、拡声システム、録音、双方向ラジオ、メガホン、ラジオおよびテレビ放送などの多くのアプリケーションで見られます。あまりにも広く使われすぎて、もはやその存在に注意を払っていません。

マイクロホンは広く使われていますが、その製造工程は非常に複雑です。これらの小さなヘルパーがどのように作られ、私たちの世界をより良いものにするかを見てみましょう.

下の画像は、最初に全体を理解するのに役立ちます。

マイクの製造工程について詳しく説明します。

1.ウエハーファウンドリー

ウエハース [1] (スライスまたは基板とも呼ばれます)は半導体材料の薄いシートです 、結晶シリコンなど。

ウェーハは基板として使用されます マイクロエレクトロニクス用 デバイスは、ドーピングやイオン注入、切断、バレル加工、スライス、面取り、研磨、レーザー彫刻など、多くの微細加工プロセスステップによって作られます。

2.ウェーハテスト

このステップでは、機能上の欠陥 ウエハー上に存在するすべての個々の集積回路は、準備のためにウエハーをダイに送る前に、特別なテストパターンをウエハーに適用することによってテストされます。

ウェーハ テストは、ウェーハ プロ​​ーバーと呼ばれるテスト装置によって行われます。 . 紹介できる方法はいくつかあります ウェーハ テスト用:ウェーハ最終テスト (WFT)、電子ダイ ソート (EDS)、サーキット プローブ (CP)。

3.パッケージング

3.1 SMT

表面実装技術(SMT)は、リードレスまたはショート リードの表面実装部品(SMC/SMD)が取り付けられた電子回路を製造する方法です。 またはプリント回路基板(PCB)の表面に直接配置 またはその他の素材 .

リフローはんだ付けによる回路組み立て技術です またはディップはんだ付け。 SMT プロセスは、古いパッドの印刷、貼り付け、リフローはんだ付け、取り付け、およびクリーニングの部分で構成されます。

3.2 接着

接着剤による結合 (糊付けまたは接着剤結合とも呼ばれます) とは、表面を結合する技術を指します。 硬化後に十分な強度を持つ有機または無機、天然または合成物質のクラスである接着剤と一緒の均質または不均一な物体の。 SU-8 などの確立された接着剤 、およびベンゾシクロブテン (BCB )、MEMS に特化 または他の電子部品。

3.3 結合

3.3.1 ダイアタッチ

ダイアタッチは、パッケージング プロセスの重要な部分です。これは、ダイの面が単一のジョイントによって基板に取り付けられている方法です。 IC ダイの接着剤は、室温で硬化するエポキシ樹脂接着剤です。 、電子部品の接合に広く使用されています。 金属、セラミック、ガラス、硬質プラスチック間のパッケージ接着に優れた接着強度を備えています .

3.3.2 ワイヤーボンディング

ワイヤー ボンディングは、熱、圧力、超音波エネルギーによって細い金属ワイヤーを基板に溶接する方法です。 これにより、チップと基板間の電気的相互接続と、チップ間の情報交換が実現します。通常、3 つのワイヤ ボンディング方法があります。 業界で使用:ホットプレス ワイヤー ボンディング、チンキ-チンキ超音波 ワイヤーボンディングと熱音響 ワイヤーボンディング。

3.3.3 3D 顕微鏡検査

このプロセスでは、3D 顕微鏡を使用して、上記の手順が正確に行われていることを確認します。たとえば、ひび割れやへこみは許されません。

3.3.4 成形

このプロセスでは、EMC (エポキシ モールディング コンパウンド) を使用してカプセル化します。 外部環境の影響を防ぐワイヤーボンドの完成品。主な手順は次のとおりです。

3.3.5 レーザーマーキング

レーザー マーキングとは、化学反応による永久的なマークのことです 表面の素材を気化させたり、変色させたりするレーザーによって適用されます。レーザー マーキングは、さまざまなテキスト、記号、パターンを作成できます など.

3.3.6 モールド硬化後

二次硬化は加熱のプロセスです コーティングを行い、接着剤が室温で硬化した後、一定時間一定温度に保ちます。これにより、架橋が促進されます。 ポリマーの分子を処理し、適切に整列させます。

3.4 パネルの取り外し

デパネリングは、大量のエレクトロニクス アセンブリ生産におけるプロセス ステップです。プリント回路基板 (PCB) 製造および表面実装 (SMT) ラインのスループットを向上させるために、多くの場合、PCB は多くの小さな個々の PCB で構成されるように設計されています。 それが最終製品に使用されます。この PCB クラスターは、パネルまたはマルチブロックと呼ばれます。 大きなパネルが壊れている、または「パネルが外されている」 プロセスの特定のステップとして 2

3.5 テスト

マイクのテスト項目は、軸内および軸外の周波数応答、感度、歪み、信号対雑音比、可聴欠陥の検出、指向性、極プロット、極性です。

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参考文献

1. https://en.wikipedia.org/wiki/Wafer_(エレクトロニクス)

2. https://en.wikipedia.org/wiki/Depaneling


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