ネルセン スチール、データ主導型の優れた生産のために eMaint を活用

電界効果トランジスタは、1926年と1933年に米国特許でJulius Lilienfeldによって提案されました（1,900,018）。さらに、Shockley、Brattain、およびBardeenは、1947年に電界効果トランジスタを調査していました。しかし、極端な困難により、代わりにバイポーラトランジスタを発明することになりました。ショックリーの電界効果トランジスタ理論は1952年に発表されました。しかし、材料処理技術は、ジョンアタラが動作するデバイスを製造した1960年まで十分に成熟していませんでした。 電界効果トランジスタ （FET）はユニポーラ デバイス、1種類の電荷キャリアの

インサート成形は、製品またはコンポーネントのフィット感と機能を向上させるための重要な設計手法です。成形品にインサートを含めるために利用できる製造プロセスはいくつかありますが、製品に必要な性能を提供するには、適切なプロセスを特定することが重要です。この投稿では、インサート成形の利点と、性能を犠牲にすることなく無制限の設計自由度を実現できる材料の種類について説明します。 インサート成形とは何ですか？ インサート成形は、液体の材料を1つまたは複数のサブコンポーネントの上に重ねて、特定の製品を製造する熟練した製造技術です。この手法は、機能的および/または機械的特性の改善を必要とするさまざまなアプ

アメリカの製造業の風景は、1801年の最初の互換性部品の開発から、1913年の最初の移動組立ラインまで、そしてリーン生産方式の発見から、過去数百年にわたって浮き沈みのかなりの部分を経験してきました。 1930年代から1970年代に始まったオフショアリングのトレンド。 製造業は、米国の経済と米国の労働者の雇用機会を形作る上で大きな役割を果たしてきました。幸いなことに、米国の製造業の現状はこれまで以上に有望であるように思われ、それを証明する数字があります。 たとえば、米国の製造業は中小企業ネットワーク内で巨大な雇用の提供者になりました。つまり、小さな地方経済は後押しされ、国民経済も大きくなり

要約 変成InAs / In x の光電特性 Ga 1 − x 量子ドット（QD）ナノ構造は、光伝導性（PC）とフォトルミネッセンス分光法、電気測定、および理論的モデリングを使用して、室温で研究されました。 In x の化学量論が異なる4つのサンプル Ga 1 − x クラッド層が成長するにつれて：インジウム含有量 x 0.15、0.24、0.28、0.31でした。 InAs / In 0.15 Ga 0.85 QD構造は、1.3μmのテレコム範囲で感光性であることがわかったため。 x として 増加すると、すべてのサンプルで赤方偏移が観察され、 x の