RhドープMoTe₂単層：SF₆分解生成物に対するDFT検証済み高性能センサーおよびスカベンジャー

要旨

本研究では、第一原理計算を用いて、RhドープMoTe₂（Rh-MoTe₂）単層におけるSO₂、SOF₂、SO₂F₂の吸着およびセンシング挙動を調査し、純粋なMoTe₂表面へのRhドープ挙動も併せて検討した。結果は、T_Moサイトが結合エネルギー（E_b）−2.69 eVでRhドープの優先サイトであることを示した。Rh-MoTe₂表面では、SO₂とSO₂F₂が化学吸着（吸着エネルギーE_adはそれぞれ−2.12 eVと−1.65 eV）を示す一方、SOF₂は物理吸着（E_ad = −0.46 eV）であった。DOS解析は吸着性能を裏付け、ガス吸着時のRhドープの電子的振る舞いを解明した。バンド構造とフロンティア分子軌道解析により、Rh-MoTe₂単層が抵抗変化型センサーとして機能する基本メカニズムが明らかにされた。脱着挙動から、Rhドープ表面が再利用可能なSO₂センサーとしての可能性を持ち、SF₆絶縁装置内でのSO₂F₂除去用ガススカベンジャーとしての探求が示唆された。誘電関数の解析により、Rh-MoTe₂単層が3種のガスを選択的に検出する光学センサーとして有望であることが示された。本成果は、Rh-MoTe₂単層をセンシング材料またはガス吸着材として開発し、SF₆絶縁装置の安全運転を容易かつ高効率に保証する上で有益である。

はじめに

SF₆絶縁装置は、高電圧・超高電圧電力システムにおいて、電気変圧器に次いで最も重要かつ高価な設備の一つであり、システム全体の安全運転を保証している[1-3]。これは、SF₆ガスの強力なアーク消弧特性と高い電気陰性度が、これらの装置における絶縁媒質として機能するためである[4]。しかし、長期間の運転中、機器内部の不可避な欠陥による部分放電の影響で、SF₆はいくつかの低フッ化硫化物に分解される可能性がある[5,6]。さらに、これらの副生成物は周囲の微量の水や酸素と反応し、SO₂、SOF₂、SO₂F₂などの安定化学物質を生成し、SF₆の絶縁性能を悪化させる[7]。したがって、これらの分解生成物を検出することは、SF₆の分解状態を評価し、関連絶縁装置の運転状態を反映する効果的な手法と見なされている[8]。

遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）への注目が高まる中、MoS₂ベースのセンサーがSF₆分解生成物の検出に提案されてきた[9-11]。これらの報告は、遷移金属（TM）ドープMoS₂単層がSO₂やSOF₂などのセンシング成分に対して適切かつ優れていることを実証した。また、プリスタインMoTe₂単層のSF₆分解生成物に対するセンシング特性に関する理論研究では、SO₂検出への適合性が証明されている[12]。さらに、大面積TMD合成に用いられる化学気相成長（CVD）の最近の進歩が、MoTe₂単層のガスセンシング応用への開発を大きく加速させている[13-15]。報告によれば、MoTe₂単層は優れたキャリア移動度、大きな結合長、低い結合エネルギーを持ち、室温でのガス相互作用に高い感度を示す[16]。したがって、MoTe₂単層はガスセンシングの非常に有望な候補であり、SF₆分解生成物の検出への応用がさらに探求されるべきである。

TMドープ2Dナノ材料が、プリスタイン表面と比較して気体分子に対するより強い吸着性能とセンシング挙動を持つことはよく知られている[17-20]。これは、TMの優れた化学活性と触媒的挙動によるもので、そのd軌道が吸着分子の軌道と強く混成し、化学吸着を促進し電荷移動を拡大するためである[21-23]。MoTe₂単層に関しては、現時点ではその単層上のTMドープ挙動に関する理論報告は少なく、TMドープMoTe₂単層のガスに対する吸着・センシング挙動もあまり探求されていない。TM元素の中でも、強力な触媒性能を持つロジウム（Rh）は、他のナノ表面においてガス吸着用の望ましいTMドーパントとして実証されている[24,25]。特に、参照文献[24]ではMoSe₂単層上のRhドープ挙動と、有毒ガス吸着への性能向上が調査されている。この観点から、第一原理理論を用いて、あまり探求されていないMoTe₂単層上のRhドープ挙動を研究し、その幾何学的特性を比較・理解することは興味深い。さらに、SF₆分解生成物であるSO₂、SOF₂、SO₂F₂の3種に対するRhドープMoTe₂（Rh-MoTe₂）単層の吸着・センシング性能を理論シミュレーションし、典型的な分野での潜在的なセンシング応用を探求した。ガス吸着時のRh-MoTe₂単層の電子的・光学的挙動は、抵抗変化型または光学ガスセンサーとしての探求における基本的なセンシングメカニズムを提供し、SF₆分解生成物の検出を実現する。脱着挙動の解析から、Rh-MoTe₂単層がこれらの有害ガスを除去するガス吸着材（スカベンジャー）としての可能性が検証され、これは別の観点から電力システムの安全運転を保証するものである。本研究は、新規ナノセンシング材料とその応用を提案し、SF₆絶縁装置の運転状態を容易かつ高効率に評価する上で意義深い。

計算詳細

全ての結果は、第一原理理論に基づくDmol³パッケージ[26]で得られた。グリムによるDFT-D法[27]を採用し、ファンデルワールス力と長距離相互作用をより良く理解した。電子交換相関項の処理には、一般化勾配近似（GGA）を用いたPerdew-Burke-Ernzerhof（PBE）汎関数を用いた[28]。原子軌道基底セットとして、二重数値分極（DNP）を採用した[29]。スーパーセル構造最適化にはMonkhorst-Pack k点メッシュ7×7×1を、電子構造計算にはより精度の高い10×10×1を用いた[30]。エネルギー許容精度、最大力、変位はそれぞれ10⁻⁵ Ha、2×10⁻³ Ha/Å、5×10⁻³ Åとした[31]。静的電子構造計算では、自己無撞着ループエネルギー10⁻⁶ Ha、大域軌道カットオフ半径5.0 Åを用いて総エネルギーの精度を確保した[32]。

4×4スーパーセル、15 Åの真空領域、16個のMo原子と32個のTe原子を含むMoTe₂単層モデルを構築し、全計算を行った。4×4スーパーセルはガス吸着プロセスの実施に十分な大きさであり、15 Åのスラブは隣接ユニット間の相互作用を防止するのに適していることが証明されている[33]。ヒルシュフェルド法[34]を全編で用い、Rhドーパントの原子電荷（Q_Rh）と吸着分子の分子電荷（Q_T）を分析した。したがって、Q_Rh（Q_T）の正の値はRhドーパント（ガス分子）が電子供与体であることを、負の値は電子受容体であることを示す。以下では、Rh-MoTe₂単層と吸着系の最も安定した構成のみをプロットし分析する。

結果と考察

Rh-MoTe₂単層の解析

Rh-MoTe₂単層上では、4つの可能な吸着サイトを検討した：T_H（MoTe₂六員環の中心上）、T_Mo（Mo原子の真上）、T_Te（Te原子の真上）、T_B（2つのTe原子間のブリッジサイト）。MoTe₂単層へのRhドープの結合エネルギー（E_b）は以下で定義される：

$$ E_b = E_{\text{Rh-MoTe}_2} - E_{\text{Rh}} - E_{\text{MoTe}_2} $$ (1)

ここで、E_Rh-MoTe₂、E_Rh、E_MoTe₂はそれぞれRh-MoTe₂単層、Rh原子、プリスタインMoTe₂単層のエネルギーを表す。

この定義に基づき、最安定構成（MSC）とその電子変形密度（EDD）を図1に示す。RhドーパントはT_Moサイトに捕捉され、MoTe₂単層上層の隣接する3つのTe原子と共有結合を形成する。3つのRh-Te結合長は等しく2.54 Åで、RhとTeの共有結合半径の和（2.61 Å[35]）より短く、MoTe₂層上でのRhドープによる化学結合形成を示している。この構成の計算E_bは−2.69 eVで、T_Hサイトの−2.14 eV、T_Teサイトの−1.28 eV、T_Bサイトの−2.55 eVより大きい。なお、Rh-MoTe₂単層のRh-Te結合はRh-MoSe₂単層のRh-Se結合より長く、RhドープのE_bはMoSe₂対応物より小さい。これらはRh-Se結合の方がRh-Te結合より強い結合力を持つことを示している。ヒルシュフェルド法によれば、Rhドーパントはドープ過程で電子受容体として振る舞い、MoTe₂表面から0.045 eを受け取り、表面ドープにおける電子受容挙動を示す[24]。これは、Rh原子が主に電子蓄積で囲まれているEDDと一致する。

図2にRh-MoTe₂系のバンド構造（BS）と状態密度（DOS）を示し、RhドープによるMoTe₂表面の電子的振る舞いの変化を理解する。プリスタインMoTe₂単層は1.10 eVの直接バンドギャップを持つと報告されている[36]。図2aより、Rh-MoTe₂単層のバンドギャップは0.937 eVで、RhドーパントがMoTe₂系のバンドギャップ内に不純物準位を誘起し、系全体のバンドギャップを狭めている。また、価帯上端がΓ点、伝導帯下端がK点に局在しており、Rh-MoTe₂系が間接半導体特性を示すことを意味する。図2bでは、Rhドーパントの状態がプリスタインMoTe₂単層の伝導帯上端に大きく寄与し、フェルミ準位付近に新たなDOSピークを形成している。これらのピークは系全体の電子的振る舞いを変化させ、電気伝導度を低下させる。RhドーパントがT_MoサイトでTe原子と結合しているため、RhとTe原子の原子DOSをプロットし、それらの電子混成挙動を理解した。図2cに示すように、Rh 4d軌道とTe 5p軌道が−5〜2 eVで強く混成しており、Rh-Te化学結合形成につながる顕著な結合相互作用を説明している。

Rh-MoTe₂単層のガス吸着構成

緩和されたRh-MoTe₂単層構造に基づき、Rh中心周辺でのSO₂、SOF₂、SO₂F₂分子の吸着を完全シミュレーションした。まず、3種のガス分子の幾何学構造も最適化した（補足図S1）。吸着エネルギー（E_ad）を用いて各系の最安定構成を決定した：

$$ E_{ad} = E_{\text{Rh-MoTe}_2/\text{gas}} - E_{\text{Rh-MoTe}_2} - E_{\text{gas}} $$ (2)

ここで、E_{Rh-MoTe₂/gas}とE_Rh-MoTe₂は吸着前後のRh-MoTe₂単層の全エネルギー、E_gasは孤立ガス分子のエネルギーである。この定義により、最も低いE_adを持つMSCが特定される。

ガス吸着時の電荷移動挙動を理解するため、各構成のEDDも計算した。SO₂、SOF₂、SO₂F₂吸着の詳細情報は図3、4、5に、吸着パラメータ（E_ad、電荷移動Q_T、結合長D）は表1にまとめた。

SO₂吸着： 図3より、SO₂分子はMoTe₂層とほぼ平行に、1つのO原子とS原子がRhドーパントによって捕捉されている。新たに形成されたRh-O結合とRh-S結合はそれぞれ2.16 Åと2.36 Åで、RhドーパントとSO₂分子の強い結合力を示す。E_adは−1.65 eVで化学吸着を意味し、Q_Tは−0.333 eでSO₂の電子引き抜き挙動を示す。吸着後、Rhドーパントは0.017 e負に帯電し、0.028 eを吸着SO₂に供与し、残りの0.305 eはMoTe₂単層から来ている。プリスタインMoTe₂/SO₂系（E_ad = −0.245 eV、Q_T = −0.086 e、D = 3.44 Å[12]）と比較すると、RhドープがMoTe₂単層のSO₂吸着時の反応性と電子再分配を大幅に向上させ、吸着材としての魅力を高めている。吸着後、SO₂のS-O結合は気相での均一な1.48 Åから1.50 Åと1.58 Åに伸長し、Rh-MoTe₂単層の3つのRh-Te結合も2.58、2.58、2.64 Åに伸長した。これらの変形は、ナノ吸着材と気体吸着質の双方で幾何学的活性化が起き、強い化学吸着をさらに確認している。EDD分布では、SO₂分子が電子蓄積で囲まれておりヒルシュフェルド解析と一致し、Rh-SおよびRh-O結合周辺に電子蓄積が見られ、新化学結合形成における電子混成を示唆している。

SOF₂吸着： 図4に示すRh-MoTe₂/SOF₂系では、SOF₂分子はO末端でRhドーパントに接近し、S原子と2つのF原子で構成される平面はMoTe₂層とほぼ平行である。しかし、RhドーパントとSOF₂分子間の新結合形成を示す明確な証拠はない。最近接Rh-O距離は2.25 ÅでSO₂系よりわずかに長く、SOF₂分子は相互作用後大きな幾何学的変形を受けない。これらは、Rh-MoTe₂単層のSOF₂に対する吸着性能がSO₂と比較して相対的に弱いことを示している。表1より、E_adは−0.46 eVで物理吸着を支持し[37]、Q_Tは0.040 eでSOF₂の電子供与挙動を示す。EDDでは、SOF₂分子とRhドーパントの間の領域に電子蓄積が主に局在し、それらの間の何らかの混成を示唆し、SOF₂分子上の電子枯渇はヒルシュフェルド解析と一致する。

SO₂F₂吸着： 図5に示すSO₂F₂吸着系では、最適化後、SO₂F₂分子はF原子とSO₂F基に解離する傾向を示し、両者がRhドーパントによって捕捉され、それぞれRh-F結合（2.02 Å）とRh-S結合（2.26 Å）を形成する。新形成結合はRhドーパントとSO₂F₂分子の強い結合力を示し、計算E_adの−2.12 eVと合わせて、SO₂系と同様にRhドープ表面でのSO₂F₂吸着が化学吸着であることを裏付ける。EDDでは、電子蓄積がSO₂F₂分子上に顕著に局在し、ヒルシュフェルド解析によるQ_T（−0.753 e）と一致する。一方、大量の電子枯渇がRhドーパントに、少量がMoTe₂単層に局在する。つまり、Rhドーパントが吸着SO₂F₂分子への電荷移動に大きく寄与し、その高い電子移動度と強い化学反応性を示している[38]。同時に、Rh-SおよびRh-F結合上での電子蓄積と枯渇の重なりは、それらの形成における電子混成を示唆する。

吸着構成とパラメータの分析から、Rh-MoTe₂単層の3ガスに対する性能順はSO₂F₂ > SO₂ > SOF₂であると結論できる。同時に、Rhドーパントはこの系の電子分布に大きく影響し、Rh-MoTe₂単層の電子的振る舞いを劇的に変化させる。

ガス吸着時のRh-MoTe₂単層の電子的振る舞い

図6に3吸着系のバンド構造（BS）と状態密度（DOS）を示し、ガス吸着時のRh-MoTe₂単層の電子的振る舞いを理解する。前述の通り、Rh-MoTe₂単層はSO₂F₂吸着で最高性能を示す。図6(c2)より、SO₂F₂の分子DOSは顕著な変形を受け、全体が左シフトし、一部の状態がフェルミ準位下で大きな1つに結合している。図6(c3)の軌道DOSでは、Rh 4d軌道がF 2p軌道と高度に混成し、S 3p軌道ともある程度混成している。この観点から、Rh-F結合の方がRh-S結合より強いと推測される。SO₂系では、図6(a3)でRh 4d軌道がO 2p軌道と高度に混成し、次いでS 3p軌道と混成しており、RhドーパントがO原子よりもS原子に対して強い結合力を持つと推測される。このような混成により、図6(a2)のSO₂分子DOSは顕著な変形を受ける。SOF₂系では、図6(b3)でRhドーパントが最近接O原子との軌道混成がほとんどなく、SOF₂吸着の弱い相互作用を支持している。

軌道および分子DOSの変化に伴い、ガス吸着系の全状態は純粋なRh-MoTe₂系と比較して自動的に変化する。図6(a1)〜(c1)の吸着系BSを見ると、SOF₂系のBSは孤立Rh-MoTe₂系と比較して顕著な変形を示さない一方、SO₂系とSO₂F₂系ではフェルミ準位付近に新たな状態が出現し、バンドギャップが大幅に狭まっている。詳細には、Rh-MoTe₂のバンドギャップは、SO₂、SOF₂、SO₂F₂吸着後にそれぞれ0.863、0.913、0.675 eVに減少する。これは、Rh-MoTe₂単層が抵抗変化型ガスセンサーとして機能する基本的なセンシングメカニズムを提供する。

フロンティア分子軌道解析

BS解析に基づく結果を確認するため、フロンティア分子軌道理論を用いて、孤立およびガス吸着後のRh-MoTe₂表面のフロンティア分子軌道（FMO）の分布とエネルギーを解析した。FMOは最高被占軌道（HOMO）と最低空軌道（LUMO）を含み、それらのエネルギーギャップは解析系の電気伝導度を評価できる[39]。FMOエネルギーの正確な結果を得るため、この計算部分のスミアリングを10⁻⁴ Åに設定した。ガス吸着前後のRh-MoTe₂単層のFMO分布とエネルギーを図7に示す。

図7aより、HOMOとLUMOは主にRhドーパントに局在し、周囲での高い反応性を示唆する。HOMOとLUMOのエネルギーはそれぞれ−4.885 eVと−3.927 eVで、計算バンドギャップは0.958 eV。3ガス吸着後、図7b〜dに見られるように、Rh-MoTe₂表面のFMO分布は反応が起こる場所で電子雲の収束を伴う様々な程度の変形を受ける。これらの変形に伴い、FMOエネルギーも相応に変化する。3ガス吸着後、FMOエネルギーは異なる程度で減少するが、SOF₂系で最も大きな減少を示す。しかし、SOF₂系のエネルギーギャップ変化はプリスタインRh-MoTe₂系と比較して最小である。具体的には、Rh-MoTe₂単層のエネルギーギャップ（0.958 eV）は、SOF₂吸着後0.044 eV減少するのに対し、SO₂とSO₂F₂吸着後はそれぞれ0.061 eVと0.281 eV減少する。これらの結果は、Rh-MoTe₂単層の電気伝導度が3ガス吸着後減少し、SO₂F₂系で最も顕著であることを示し、BS解析からの結論と一致する。また、フロンティア分子軌道理論からのエネルギーギャップはBS結果からのバンドギャップと概ね近く、計算の良好な精度を示唆する。

センシング応答と回復特性

ガス吸着後のRh-MoTe₂単層バンドギャップ変化は、関連ガス雰囲気における電気伝導度の変化を表し[40]、Rh-MoTe₂単層を抵抗変化型ガスセンサーとして探求する基本的なセンシングメカニズムを提供する。また、電気伝導度の変化が大きいほど、ガス検出の感度が高いことを意味する。Rh-MoTe₂単層のセンサーとしての可能性を特定するため、以下の式を用いて3種ガスに対する伝導度（σ）と感度（S）を計算した[41,42]：

$$ \sigma = A \cdot e^{(-B_g/2kT)} $$ (3)

$$ S = \frac{\frac{1}{\sigma_{\text{gas}}} - \frac{1}{\sigma_{\text{pure}}}}{\frac{1}{\sigma_{\text{pure}}}} = \frac{\sigma_{\text{pure}} - \sigma_{\text{gas}}}{\sigma_{\text{gas}}} $$ (4)

式3でAは定数、B_gは解析系のバンドギャップ、kはボルツマン定数、Tは動作温度。式4でσ_gasとσ_pureはそれぞれ吸着系と孤立Rh-MoTe₂単層の伝導度。これら2式により、ガス吸着前後のバンドギャップのみから特定表面のSを得られる。計算の結果、298 KにおけるRh-MoTe₂単層のSO₂、SOF₂、SO₂F₂検出感度はそれぞれ76.3%、37.3%、99.4%であった。これらは、Rh-MoTe₂単層がSO₂F₂に対して最も優れたセンシング挙動を示し、次いでSO₂、SOF₂の順であることを示唆する。この順序は吸着パラメータと電子的振る舞いの解析順序と一致する。これらの結果から、Rh-MoTe₂単層が室温でSO₂とSO₂F₂の高感度検出を実現できることが期待される。

回復特性もガスセンサーの再利用性評価に重要であり、特定表面からのガス脱着の回復時間（τ）を短縮するために加熱技術が通常検討される。回復時間は温度（T）と関係する[43]：

$$ \tau = A^{-1} e^{(-E_a/K_B T)} $$

ここで、Aは試行頻度（10¹² s⁻¹[44]）、E_aはポテンシャル障壁（本研究ではE_adと等価とみなす）、K_Bはボルツマン定数（8.318×10⁻³ kJ/(mol·K)）。

この式に基づき、298、448、598 KにおけるRh-MoTe₂単層の回復挙動を図8に示す。室温ではSO₂F₂とSO₂の脱着は極めて困難だが、SOF₂はRhドープ表面との弱い結合力により回復時間が非常に短い。加熱により、SO₂F₂またはSO₂脱着の回復時間は顕著に短縮され、598 KではSO₂系の回復時間（79.48 s）が好ましくなり、数分での再利用が可能となる。これはRh-MoTe₂単層が再利用可能なSO₂ガスセンサーとしての可能性を支持する。一方、598 KでのSO₂F₂脱着の長い回復時間（7.24×10⁵ s）は、ここでの強い化学吸着を反映している。温度をさらに上げれば回復時間は短縮されるが、センシング材料の熱安定性とセンシング応用での高エネルギー消費が別の問題となる。これらを総合すると、Rh-MoTe₂単層はSOF₂検出用センサーには不適切だが、SF₆絶縁装置内でこの有害ガスを除去するガス吸着材（スカベンジャー）として提案する別の視点を提供する。さらに、この解析は別の観点から、Rh-MoTe₂単層をSO₂F₂センサーとして探求することの不適切さ（表面との弱い相互作用）を明らかにしている。

ガス吸着時のRh-MoTe₂単層の光学的振る舞い

MoTe₂単層の望ましい光学特性を考慮し、ガス吸着時のRh-MoTe₂単層の誘電関数を計算し（図9）、光学ガスセンサーとしての可能性を検討した。

図9より、孤立Rh-MoTe₂単層には148、389、1242 nmに3つの主要吸収ピークがあり、前2つは紫外域、最後は赤外域にある。ガス吸着後、紫外域のピークはわずかな変形を示すが、赤外域のピークは顕著な変形を示す。詳細には、1242 nmのピーク強度はSOF₂吸着後減少し、SO₂とSO₂F₂吸着後増加し、SOF₂系ではブルーシフトも確認できる。したがって、Rh-MoTe₂単層は赤外デバイスによる3ガスの感度的かつ選択的な検出に有望な光学センサーであると推定される。

要するに、本研究はSF₆分解生成物の検出を様々な技術で実現する新規ナノ材料の提案に向けた進歩的研究であり、SF₆絶縁装置の評価を容易かつ高効率に果たす上で意義深い。

結論

本論文では、SF₆分解生成物検出用ガスセンサーとしてのRh-MoTe₂単層の潜在的応用を探求し、主に2側面を含む：（1）本質的MoTe₂単層上のRhドープ挙動、（2）Rh-MoTe₂単層のSO₂、SOF₂、SO₂F₂に対する吸着・センシング挙動。RhドーパントはE_b −2.69 eVでT_Moサイトを通じてMoTe₂表面にドープされることを好み、Te原子と強い電子混成を示す。3ガスに対するRh-MoTe₂単層の吸着性能順はSO₂F₂ > SO₂ > SOF₂で、SO₂F₂とSO₂系で化学吸着、SOF₂系で物理吸着が特定され、DOS解析でさらに支持される。Rh-MoTe₂単層は応答76.3%でSO₂の再利用検出に有望な抵抗変化型ガスセンサーであり、SF₆絶縁装置からのSO₂F₂除去に望ましい吸着材であり、3ガスの選択的検出に有望な光学センサーである。総じて、Rh-MoTe₂単層はSF₆分解生成物検出用の潜在的センシング材料である。本研究は、新規ナノセンシング材料の提案と、SF₆絶縁装置の効果的評価を容易かつ高効率に実現する上で意義深い。

手法

本研究は、高電圧絶縁装置の運転状態を評価するため、SF₆分解生成物を検出することで、第一原理理論を用いて新規2Dセンシング材料を探求することを目的とする。

データおよび材料の入手可能性

現在、データは後続研究で使用中のため共有できない。

略語

TMDs:

遷移金属ダイカルコゲナイド

TM:

遷移金属

CVD:

化学気相成長

PBE:

Perdew-Burke-Ernzerhof

GGA:

一般化勾配近似

DNP:

二重数値分極

Q_Rh:

Rhドーパントの原子電荷

Q_T:

吸着分子の分子電荷

E_b:

結合エネルギー

MSC:

最安定構成

EDD:

電子変形密度

BS:

バンド構造

DOS:

状態密度

E_ad:

吸着エネルギー

D:

結合長

FMO:

フロンティア分子軌道

HOMO:

最高被占軌道

LUMO:

最低空軌道